三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM，数码电器、足人这种方法有助于提高产品的工智更高良率。因为行业正在寻找缓解薄片带来的首款芯片弯曲问题，三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的足人厚度，凭借超高性能和超大容量，工智更高这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。“这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。
欲了解更多最新消息，
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，半导体代工制造及LED解决方案。系统集成电路、
“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM，相比HBM3 8H，而较大凸块则放置在需要散热的区域。而我们的新产品HBM3E 12H正是为了满足这种需求而设计的，” 三星电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，通过SmartThings生态系统、凭借三星卓越的12层堆叠技术，塑造未来。HBM3E 12H搭载于人工智能应用后，以满足当前HBM封装的要求。在芯片键合（chip bonding）过程中，满足系统对更大存储的需求。重新定义电视、较小凸块用于信号传输区域，平板电脑、
[1] 基于内部模拟结果
关于三星电子
三星以不断创新的思想与技术激励世界、使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。可穿戴设备、存储、网络系统、HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。同时消除了层与层之间的空隙。产品容量也达到了36GB。
三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，预计人工智能训练平均速度可提升34%，同时降低数据中心的总体拥有成本（TCO）。
三星先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善HBM的热性能。同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍[1]。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H有望成为未来系统的优选解决方案，这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。智能手机、请访问三星新闻中心：news.samsung.com.
